Dr. José Cruz Núñez Pérez
Diseño de circuitos y sistemas de radiocomunicación
La línea de investigación se enfoca en la búsqueda de Metodologías de diseño de sistemas microonda, que incluyan el modelado de dispositivos activos, impacto de arquitecturas de circuitos y la implementación de práctica de sistemas. En síntesis se abordan los siguientes temas:
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Modelado físico-eléctrico de transistores de alta frecuencia y del ruido de baja frecuencia en transistores microonda.
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Diseño de circuitos microonda tales como: Osciladores Controlados por Voltaje, Mezcladores, Filtros y Amplificadores de potencia y de bajo ruido.
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Evalución y analisis del rendimiento de arquitectura de sistemas de comunicación inalámbricos en condiciones reales de funcionamiento para la compensacíon de los efectos FR más exigentes.
Doctorado en Ingeniería Electrónica
Especialización en Dispositivos de Electrónica Integrada
Institut des Nanotechnologies de Lyon Institut National des Sciences Appliquées
(INSA de Lyon)
Titulo de la tesis: “Contribution à la conception de systèmes de radiocommunication : de la modélisation de Transistors Bipolaires à l’évaluation des performances d’un système d’Emission-Réception”
Directores de tesis: Dr. Christian Gontrand y Dr. Jacques Verdier.
Periodo escolar: 2004-2007
Fecha de Examen: 3 de Diciembre del 2007
Maestría en Ciencias en Ingeniería Electrónica
Especialización en Electrónica de Potencia
Centro Nacional de Investigación y Desarrollo Tecnológico, Cuernavaca Mor. ?
Titulo de la tesis: “Estudio de alternativas de comunicación inalámbrica para aplicaciones en sistemas de iluminación”.
Directores de tesis: Dr. Hugo Calleja Gjumlich y Dr. Jaime Arau Roffiel.
Periodo escolar: 2001-2003
Fecha de Examen: 1 de Diciembre del 2003
Licenciatura en Ingeniería Electrónica
Especialización en Instrumentación y Control
Instituto Tecnológico de Lázaro Cárdenas ITLAC
Lázaro Cárdenas Mich., México.
Periodo escolar: 1996-2001
Fecha de Examen: 13 de Septiembre del 2001
En memorias de Congresos Internacionales:
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“On the Compensation of RF Impairments with Multiple Antennas in SIMO OFDM systems,” P. F. Morlat, J. C. Nuñez Pérez, G. Villemaud, J. Verdier, J. M. Gorce. IEEE Vehicular Technology Conference 2006 Fall, 25–28 Septiembre 2006, Montréal, Canada.
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“Modern Approach to drive RF Design and Verify System Performance,” Jacques Verdier, J-C. Núñez, P.F. Morlat, G. Villemaud. SAME 2006 Forum, 4-5 Octubre 2006, Sophia-Antipolis France.
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“Modélisation DC et HF de TBH SiGeC de fT et fmax de 200 GHz Application à la conception d’oscillateurs MMIC,” José Cruz Núñez Pérez, Jacques Verdier. Colloque TAISA 2006, 19-20 Octubre 2006, Strasbourg France.
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“Etude et conception d’OCTs à 20 GHz sous 2.5 V en technologie BiCMOS SiGe:C 0.25 µm,” José Cruz Nuñez Pérez, Jacques Verdier, Francis Calmon, Christian Gontrand. 15èmes Journées Nationales de Microondes, 23-25 de Mayo 2007, Toulouse France.
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“Influence des limitations RF sur les performances d’un récepteur SIMO-OFDM pour systemes WIFI 802.11g. Application à la conception globale de systèmes de radiocommunications multi-antennes et multi-normes,” José Cruz Nuñez Pérez, Pierre-François Morlat, Jacques Verdier, Guillaume Villemaud, Christian Gontrand. 15èmes Journées Nationales de Microondes, 23-25 de Mayo 2007, Toulouse France.
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“Design Considerations for a 20 GHz VCO Using a Cross-Coupled Differential Pair Topology,” José Cruz Núñez Pérez, Jacques Verdier, Christian Gontrand. World Congress on Engineering, London, U.K., 2-4 de Julio, 2007.
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"Analysis and Design of 20 GHz VCOs using cross-coupled differential pair and Balanced Colpitts Topologies in SiGe:C BiCMOS Technology" Jacques Verdier, José Cruz Nunez Perez, Christian Gontrand. 3rd IEEE International Conference on Design and Technology of Integrated Systems in Nanoscale Era (IEEE DTIS2008). Tozeur, Tunisia, March 25-28, 2008.
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"Design and Optimization of 20 GHz LC-VCOs in SiGe:C BiCMOS Technology" Jacques Verdier, José Cruz Nunez Perez, Christian Gontrand. IEEE International Conference on Circuits & Systems for Communications (IEEE ICCSC 2008). 26-28 May 2008Shanghai, China.
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Carbon Effect on Electrical Characteristics of High Speed SiGeC HBT,” Maya. LAKHDARA a, Saida. Latreche, José Cruz. Nunez–Perez, Manel Bouhouche, Jacques Verdier, and Christian Gontrand, E-MRS Spring Meeting May 26th -May 30th 2008, Strasbourg, France. ir hacia arriba
En memorias de Congresos Nacionales:
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“Sistemas con incertidumbre representados por matrices intervalo,” 5° Verano de Investigación Científica del Pacifico Mexicano “Delfín”, Morelia Mich., México, 28 de Agosto del 2000.
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“Sistema de Medición de Ruido de Baja Frecuencia para los Transistores SiGe:C con fT/fmax de 200 GHz,” José Cruz Núñez Pérez, Jacques Verdier, Christian Gontrand. Decimonovena Reunión de Otoño de Comunicaciones, Computación, Electrónica y Exposición Industrial ROC&C 2008, Acapulco México, 30 Nov-6 Dic 2008.
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“A Global Approach for Multi-antenna Multi-standard SDR Receivers,” José Cruz Nunez Pérez, Jacques Verdier, Guillaume Villemaud, Jean-Marie Gorce. Decimonovena Reunión de Otoño de Comunicaciones, Computación, Electrónica y Exposición Industrial ROC&C 2008, Acapulco México, 30 Nov-6 Dic 2008.ir hacia arriba
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“Impact of low-frequency substrate disturbances on a 4.5GHz VCO,” Francis Calmon, Cristian Andrei, Olivier Valorge, Jose-Cruz Nuñez Perez, Jacques Verdier, Christian Gontrand: Microelectronics Journal 37(10): 1119-1127 (2006).
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“Mixed-mode analysis of the sensitivity of a RF oscillator disturbed by parasitic signals,” Christian Gontrand, Manel Bouhouche, José-Cruz Nuñez Perez, Olivier Valorge, Francis Calmon, Jacques Verdier and Saïda Latreche. International Journal of Numerical Modeling: Electronic Networks, Devices and Fields (2008) Wiley InterScience, Volume 22, Issue 1, January/February 2009) pages 23-42.
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20 GHz High Performance VCO Design Methodology,” José Cruz Núñez Pérez, Jacques Verdier,Christian Gontrand. Engineering Letters Year: 2008, Vol: 16 Issue: 1 Pages: 44-4
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"First- and second-order electrical modelling and experiment on very high speed SiGeC heterojunction bipolar transistors” Institut of Physics (IOP) Publushing, Semiconductor Science and Technology, 24 (2009) 045010 (8pp).
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Proyecto SIP: “Análisis y Diseño de Arquitecturas de Alta Eficiencia para Amplificadores de Potencia y de Bajo Ruido con Aplicación en Sistemas de Comunicación Inalámbricos a Frecuencias Microonda”.
